[发明专利]在铁基非晶粉末上直接生长碳纳米洋葱的方法

摘要

本发明公开了一种在铁基非晶粉末上直接生长碳纳米洋葱的方法，属于纳米材料制备技术。该方法包括以下过程：将成分为Fe76Si9B10P5铁基非晶粉末均匀的摊铺在方舟的中，置于管式炉中心恒温区，将石英管密封。通入氩气，排除空气，而后升温至反应温度，通入碳源气体和载气的混合气进行反应一段时间，反应后随炉冷却，即得到在铁基非晶粉末上即生长出碳纳米洋葱。本发明具有以下优点：在不需要任何预处理或极端条件下直接在铁基非晶粉末基体上得到了碳纳米洋葱，制备过程简单，不需要繁琐的催化剂前躯体的制备过程或极端的反应条件。制备得到的碳纳米洋葱结构易于分离提纯，以得到纯净的碳纳米洋葱材料。

主权项

一种在铁基非晶直接制备上碳纳米洋葱的方法的特征包括以下过程：将成分为Fe76Si9B10P5铁基非晶粉末均匀的摊铺在方舟的中，将方舟置于管式炉石英管中心恒温区，将石英管密封，在开始加热之前先向石英管内以100mL/min‑400mL/min的通气速度通入氩气10‑15min，以尽量排出管内的空气，而后开始加热。在氩气的保护气氛下，以10℃/min的加热速率将石英管加热至温度500‑700℃后，按乙炔碳源气体和氢气载气体积比为(2‑4)∶5，混合气体总流量为150mL‑200mL的比例通入混合气反应1‑2h，反应结束后恢复氩气保护气氛，以氩气流量为100mL/min‑300mL/min通入氩气，在氩气保护的气氛下以5℃/min的速率降温至450℃，而后随炉冷却至室温，即得到在铁基非晶粉末上即生长出碳纳米洋葱。