[发明专利]一种利用ALD制备锗基MOS电容的方法无效
| 申请号： | 201110348900.1 | 申请日： | 2011-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN102509734A | 公开（公告）日： | 2012-06-20 |
| 发明（设计）人： | 卢红亮;耿阳;孙清清;王鹏飞;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/94;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体技术领域，具体为一种利用原子层淀积(ALD)制备锗基MOS电容的方法。本发明步骤为：首先在Ge基衬底上进行快速热氧化处理，形成GeO2；然后在其上淀积高介电常数的HfO2作为栅介质，再制作电极，形成Ge基MOS电容。本发明采用快速热氧化处理方法在Ge基衬底表面形成一层高质量的GeO2，可防止Ge的扩散，减小缺陷电荷和界面态密度，改善界面特性；所淀积的HfO2介质层，厚度可精确控制性，保形性能优异，界面控制能力强，均匀性好。本发明可大大提高Ge基MOS电容的电学特性，从而提高Ge基MOS晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 ald 制备 mos 电容 方法 | ||
【主权项】：
一种锗基MOS电容，其特征在于由Ge基衬底、在Ge基衬底快速热氧化形成的GeO2、在GeO2上由原子层淀积生长的HfO2栅介质层和电极构成。
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