[发明专利]基于标准CMOS工艺的细胞膜电位传感器无效
| 申请号： | 201110348912.4 | 申请日： | 2011-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN102520044A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 施朝霞 | 申请（专利权）人： | 浙江工业大学 |
| 主分类号： | G01N27/414 | 分类号： | G01N27/414 |
| 代理公司： | 杭州天正专利事务所有限公司 33201 | 代理人： | 王兵;王利强 |
| 地址： | 310014 *** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种基于标准CMOS工艺的细胞膜电位传感器，所述细胞膜电位传感器包括场效应管漏区和场效应管源区构成的MOS场效应管，所述MOS场效应管与氧化层连接，所述氧化层上覆盖多层金属栅极结构，所述多层金属栅极结构自下而上依次包括连接层、金属1层、通孔层和金属2层，所述金属2层上设有供活体细胞培养的裸露微电极。本发明提供一种实现与标准CMOS工艺兼容、便于集成化的基于标准CMOS工艺的细胞膜电位传感器。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 标准 cmos 工艺 细胞 膜电位 传感器 | ||
【主权项】：
一种基于标准CMOS工艺的细胞膜电位传感器，其特征在于：所述细胞膜电位传感器包括场效应管漏区和场效应管源区构成的MOS场效应管，所述MOS场效应管与氧化层连接，所述氧化层上覆盖多层金属栅极结构，所述多层金属栅极结构自下而上依次包括连接层、金属1层、通孔层和金属2层，所述金属2层上设有供活体细胞培养的裸露微电极。
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