[发明专利]一种提高纳米晶磁芯磁导率的热处理方法无效
| 申请号： | 201110349481.3 | 申请日： | 2011-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN102382958A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 左海军 | 申请（专利权）人： | 佛山市中研非晶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C21D1/74 | 分类号： | C21D1/74;C21D1/26 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 528241 广东省佛山市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高纳米晶磁芯磁导率的热处理方法，其特征在于包括下列步骤：将纳米晶磁芯放置入不锈钢保护盒内，再将装有纳米晶磁芯的不锈钢护盒内放入热处理炉，抽取真空后注入氮气，升高温度后进行保温，然后冷却到室温。本发明的方法操作简单，效果明显，能够有效利用纳米晶磁芯热处理加工过程提高磁导率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 纳米 晶磁芯 磁导率 热处理 方法 | ||
【主权项】：
一种提高纳米晶磁芯磁导率的热处理方法，其特征在于包括下列步骤：将纳米晶磁芯放置入保护盒内，再将装有纳米晶磁芯的保护盒放入热处理炉，抽取真空后注入氮气，升高温度后进行保温，然后冷却到室温。
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