[发明专利]一种改进等离子体增强化学汽相沉积薄膜均匀度的方法

摘要

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种改进等离子体增强化学汽相沉积薄膜均匀度的方法。本发明一种改进等离子体增强化学汽相沉积薄膜均匀度的方法，通过将反应腔内的加热台设置为数个独立控制温度的区域，并通过调整各个区域的温度以控制晶圆上沉积薄膜的速率，从而能较好的实现晶圆薄膜均匀度的控制。

主权项

一种改进等离子体增强化学汽相沉积薄膜均匀度的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：将一设置于反应腔内的加热台分成至少两个独立控制温度的区域；步骤S2：一晶圆放置于加热台后，调整各独立控制温度的区域为同一温度；步骤S3：进行等离子体增强化学汽相沉积工艺，于该晶圆上生成薄膜；步骤S4：根据该薄膜的厚度分布调整各独立控制温度的区域温度；步骤S5：更换晶圆并继续依次进行步骤S2‑S4工艺，直至生成的晶圆薄膜均匀度达到工艺需求。