[发明专利]埋层引出结构及其制造方法无效
| 申请号： | 201110349910.7 | 申请日： | 2011-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN103094229A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 钱文生 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种埋层引出结构，包括衬底、外延层以及位于两者之间的埋层；在外延层中具有隔离区，在隔离区中具有接触孔电极，所述接触孔电极的底部在埋层中。本发明还公开了所述埋层引出结构的制造方法。本发明的埋层引出结构制作在隔离区，没有占据任何有源区，接触孔电极的尺寸远小于常规的沉淀层，大量地节约了器件面积，而且接触孔电极是通过金属接触并引出埋层，串联电阻远小于常规的沉淀层。本发明的埋层引出结构的制造方法由于不需要沉淀区，因而省略了现有方法中的高温退火工艺，进一步降低了工艺成本和时间。 | ||
| 搜索关键词： | 引出 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种埋层引出结构，包括衬底、外延层以及位于两者之间的埋层；在外延层中具有隔离区，其特征是，在隔离区中具有接触孔电极，所述接触孔电极的底部在埋层中。
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