[发明专利]锗硅HBT器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110349921.5 | 申请日： | 2011-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN102412287A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 钱文生 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种锗硅HBT器件，包括有位于沟槽中的隔离结构，所述隔离结构往下在衬底中依次形成有三个以上纵向接触的赝埋层，其中最下方的赝埋层相互之间横向连接，最上方的赝埋层与所述隔离结构相接触且通过接触孔中的电极引出作为集电极，其余赝埋层则连接最下方和最上方的赝埋层。本发明通过调节沟槽底部的最上方赝埋层与有源区的边缘距离决定锗硅HBT器件的击穿电压，实现具有不同击穿电压的锗硅HBT器件。本发明还公开了所述锗硅HBT器件的制造方法，只需要在形成赝埋层的离子注入步骤中调节注入能量便可以实现，无须增加额外的光刻，也无须额外的光刻掩膜版，不仅简化了工艺，而且降低了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 锗硅 hbt 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种锗硅HBT器件，包括有位于沟槽中的隔离结构，其特征是，所述隔离结构往下在衬底中依次形成有三个以上纵向接触的赝埋层，其中：最下方的赝埋层相互之间横向连接，最上方的赝埋层与所述隔离结构相接触且通过接触孔中的电极引出作为集电极，其余赝埋层则连接最下方和最上方的赝埋层。
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