[发明专利]在介电层中的双开口中形成的焊盘结构有效
申请号: | 201110350734.9 | 申请日: | 2011-11-08 |
公开(公告)号: | CN102916018A | 公开(公告)日: | 2013-02-06 |
发明(设计)人: | 林政贤;杨敦年;刘人诚;王文德;蔡双吉;林月秋 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人: | 陆鑫;房岭梅 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种图像传感器器件包括:具有正面和背面的半导体衬底;位于半导体衬底正面上的第一介电层;位于第一介电层中的金属焊盘;位于第一介电层上方以及位于半导体衬底正面上的第二介电层;从半导体衬底的背面穿透半导体衬底的开口,其中该开口包括第一部分和第二部分,所述第一部分延伸以暴露一部分金属焊盘,所述第二部分延伸以暴露一部分第二介电层;以及在开口的第一部分和第二部分中形成的金属层。本发明还提供了一种在介电层中的双开口中形成的焊盘结构。 | ||
搜索关键词: | 介电层 中的 双开 口中 形成 盘结 | ||
【主权项】:
一种图像传感器器件,包括:半导体衬底,具有正面和背面;第一介电层,位于所述半导体衬底的所述正面上;金属焊盘,位于所述第一介电层中;第二介电层,位于所述第一介电层上方以及位于所述半导体衬底的所述正面上;开口,从所述半导体衬底的所述背面穿透所述半导体衬底,其中,所述开口包括第一部分和第二部分,所述第一部分延伸以暴露一部分所述金属焊盘,所述第二部分延伸以暴露一部分所述第二介电层;以及金属层,形成于所述开口的所述第一部分和所述第二部分中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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