[发明专利]一种双保护厄他培南结晶体及其制备方法有效
| 申请号： | 201110350990.8 | 申请日： | 2011-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN102432611A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 安晓霞;吕锋;胡猛;刘军;毕光庆 | 申请（专利权）人： | 上海希迈医药科技有限公司;江苏迪赛诺制药有限公司 |
| 主分类号： | C07D477/20 | 分类号： | C07D477/20;C07D477/06 |
| 代理公司： | 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 | 代理人： | 何葆芳 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双保护厄他培南结晶体及其制备方法，所述的双保护厄他培南结晶体具有图1所示的粉末X射线衍射谱图。该结晶体的制备是首先使碳青霉烯母核MAP和厄他培南侧链进行缩合反应，反应结束，将反应液倒入pH值为4～6的缓冲液与酯类溶剂形成的混合溶剂中，萃取分层，再向有机层内加入缓冲液洗涤；有机层用无水硫酸钠干燥、过滤后，于0～30℃搅拌析晶，过滤，洗涤滤饼，真空干燥。本发明提供的双保护厄他培南结晶体稳定性好，纯度高，为后续制备高纯度、质量稳定的厄他培南奠定了基础和提供了保证；且本发明的制备方法简单，原料价廉易得，易于实现规模化，符合工业化生产要求，具有实用推广价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 保护 结晶体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种双保护厄他培南结晶体，具有如下所示的化学结构式：![]()
其特征在于：具有图1所示的粉末X射线衍射谱图。
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