[发明专利]复合式太阳能电池的多晶硅基板及其太阳能电池无效
| 申请号： | 201110351002.1 | 申请日： | 2011-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN103094376A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 朱兆杰 | 申请（专利权）人： | 智盛全球股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/0224;H01L31/04 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁挥 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种复合式太阳能电池的多晶硅基板，包括：一第一基材层，该第一基材层的纯度介于2N至3N之间；以及一成型于该第一基材层上的第二基材层，该第二基材层的纯度介于6N至9N之间。本发明具有以下有益的效果：本发明利用半导体方法在一般纯度较低的基板上制作高质量的高纯度外延层或高纯度溅射层，以作为太阳能电池的主动层，故可减少高纯度的硅原料的使用，以取代传统块材硅的太阳能电池，借以降低整体成本。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 太阳能电池 多晶 硅基板 及其 | ||
【主权项】：
一种复合式太阳能电池的多晶硅基板，其特征在于，包括：一第一基材层，该第一基材层的纯度介于2N至3N之间；以及一成型于该第一基材层上的第二基材层，该第二基材层的纯度介于6N至9N之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
