[发明专利]RFCMOS射频相关性噪声的模型有效
| 申请号： | 201110352944.1 | 申请日： | 2011-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN102521426A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 黄景丰 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种RFCMOS射频相关性噪声的模型，在BSIM模型中的MOS晶体管电路的基础上增加了噪声源电路，噪声源电路包括：栅极感应噪声电流源、栅极漏电流散弹噪声电流源、栅极寄生电阻热噪声电压源、源极寄生电阻热噪声电压源、漏极寄生电阻热噪声电压源、沟道热噪声电流源、源极衬底寄生二极管散弹噪声电流源、漏极衬底寄生二极管散弹噪声电流源、衬底网络寄生电阻热噪声电压源。本发明中包含有栅极感应噪声及其与沟道噪声的相关性，使模型更符合物理，从而能提高射频噪声的仿真度。 | ||
| 搜索关键词： | rfcmos 射频 相关性 噪声 模型 | ||
【主权项】：
一种RFCMOS射频相关性噪声的模型，其特征在于，RFCMOS射频相关性噪声的模型在BSIM模型中的MOS晶体管电路的基础上增加了噪声源电路，所述噪声源电路包括：栅极感应噪声电流源、栅极漏电流散弹噪声电流源、栅极寄生电阻热噪声电压源、源极寄生电阻热噪声电压源、漏极寄生电阻热噪声电压源、沟道热噪声电流源、源极衬底寄生二极管散弹噪声电流源、漏极衬底寄生二极管散弹噪声电流源、衬底网络寄生电阻热噪声电压源。
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