[发明专利]一种高比表面积具有分级孔结构多孔炭的制备方法无效
申请号: | 201110353365.9 | 申请日: | 2011-11-09 |
公开(公告)号: | CN102515138A | 公开(公告)日: | 2012-06-27 |
发明(设计)人: | 唐志红;杨俊和;何星;王现英;杨光智;邱汉迅;张慧娟;赵斌 | 申请(专利权)人: | 上海理工大学 |
主分类号: | C01B31/02 | 分类号: | C01B31/02 |
代理公司: | 上海东创专利代理事务所(普通合伙) 31245 | 代理人: | 宁芝华 |
地址: | 200093 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种高比表面积具有分级孔结构多孔炭的制备方法,采用纳米粒子为模板制备孔径集中在纳米氧化硅粒径范围的多孔炭,并将其烘干,其特点是:所述的多孔炭烘干后,将炭粉与KOH混合,控制炭粉与KOH的质量比为1∶1-1∶8,800-1000℃活化0.5-5h,HCl洗掉多余的KOH后,即可制备高比表面积具有分级孔结构的多孔炭。采用本发明方法制备出的多孔炭具有:比表面积高、产品成本低、多孔炭孔径分布可通过选择合适的纳米粒子以及控制KOH的用量控制。 | ||
搜索关键词: | 一种 表面积 具有 分级 结构 多孔 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种高比表面积具有分级孔结构多孔炭的制备方法,采用纳米粒子为模板制备孔径集中在纳米氧化硅粒径范围的多孔炭,并将其烘干,其特征在于:所述的多孔炭烘干后,将炭粉与KOH混合,控制炭粉与KOH的质量比为1∶1‑1∶8,800‑1000℃活化0.5‑5h,HCl洗掉多余的KOH后,即可制备高比表面积具有分级孔结构的多孔炭。
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