[发明专利]存储装置

摘要

本发明涉及存储装置。该存储装置包括晶体管阵列和多个存储元件，晶体管阵列包括：基板；多个平行的字线；多个平行的第一位线；位接触电极；节点接触电极，其设置在中间夹有位接触电极的两个相邻字线之中各字线的与位接触电极相反的一侧，且连接到扩散层，多个存储元件具有：下部电极，其连接到节点接触电极并相对各存储元件设置，下部电极的设置位置为，在与基板的表面平行的平面内，在靠近位接触电极的方向上从节点接触电极正上方偏移；存储层；多个平行的第二位线，其中，各第二位线叠加在与第一位线两侧处的节点接触电极相连接的下部电极上。本发明能够实现更高密度和更大容量的存储装置。

主权项

一种存储装置，其包括：晶体管阵列，其具有多个晶体管；及多个存储元件，对于所述多个晶体管中的每个晶体管设有一个所述存储元件，所述晶体管阵列包括：基板，所述多个晶体管的扩散层处于所述基板的表面上，多个平行的字线，其处于所述基板上，多个平行的第一位线，其在与所述字线垂直的方向上设置，位接触电极，其设置在相邻的两个所述字线之间，并连接所述第一位线和所述扩散层，节点接触电极，其设置在中间夹有所述位接触电极的两个相邻所述字线之中各字线的与所述位接触电极相反的一侧，所述节点接触电极连接到所述扩散层，所述多个存储元件具有：下部电极，其连接到所述节点接触电极，并相对各所述多个存储元件设置，所述下部电极的设置位置为，在与所述基板的所述表面平行的平面内，在靠近所述位接触电极的方向上从所述节点接触电极正上方偏移，存储层，其设置在所述下部电极上，且其电阻值由于电压施加而可逆地变化，多个平行的第二位线，其在所述存储层上在与所述第一位线的延伸方向相同的方向上延伸，其中，各所述第二位线叠加在与所述第一位线两侧处的所述节点接触电极相连接的所述下部电极上。