[发明专利]一种准一维金属氧化物纳米材料的制备方法无效
申请号: | 201110354230.4 | 申请日: | 2011-11-10 |
公开(公告)号: | CN102383105A | 公开(公告)日: | 2012-03-21 |
发明(设计)人: | 黄平;王飞;张成军;徐可为 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | C23C16/40 | 分类号: | C23C16/40 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 王艾华 |
地址: | 710049 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种准一维金属氧化物纳米材料的制备方法,该种纳米线材料是一种金属氧化物的纳米线,长度上可以达到数微米的级别,而在宽度及高度上仅有纳米级,材料呈现非晶的结构状态。该方法采用原子层沉积技术,将两种反应物分批次通入到反应腔中,吸附在衬底表面的反应物发生化学反应生成金属氧化物纳米线。氧化铝纳米线之间相互平行,表现出一定的择优取向的生长特性;同时,该方法操作简单,成本较低,可以通过编写程序进行控制,易于在工业上实现和推广。 | ||
搜索关键词: | 一种 准一维 金属 氧化物 纳米 材料 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种准一维金属氧化物纳米材料的制备方法,其特征在于,该方法包括下列步骤:1)采用普通透明胶带对高定向热解石墨进行微机械剥离后,将其放置在原子层沉积设备的生长腔内,准备进行纳米线生长;2)将需要进行反应的原材料三甲基铝、双氧水装入反应源中,反应温度设定为150℃,抽真空至8mTorr后启动程序自动控制反应过程;采用高纯N2作为反应辅助气氛,保证在反应腔中不会发生反应物氧化的现象;3)纳米线生长过程中,通过电阻丝加热方式使反应腔的温度稳定在预先设定的反应温度,反应源三甲基铝的反应和冲洗时间分别为:4s、20s,双氧水的反应和冲洗时间分别为0.2s、45s,通过设定的程序使反应重复进行;4)氧化铝纳米线的高度及宽度,通过控制反应周次进行控制。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安交通大学,未经西安交通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110354230.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种钢砂的制作方法
- 下一篇:猪细小病毒抗原的制备方法及其产品
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的