[发明专利]一种可擦写式双层薄膜结构阻变存储单元及其制备方法有效
| 申请号： | 201110354547.8 | 申请日： | 2011-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN102368535A | 公开（公告）日： | 2012-03-07 |
| 发明（设计）人： | 张群;刘宝营 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于非易失性电阻式存储器件技术领域，具体为一种可擦写式双层薄膜结构的阻变式存储单元及其制备方法。本发明以玻璃为基板，用纯金属锡与钼靶材，在一定温度条件下利用直流磁控溅射技术，制备二氧化锡阻变薄膜和氧化钼氧存储层，并采用直流磁控溅射法制备钼顶电极和铂钛底电极测试器件的阻变特性。与单层SnO2薄膜阻变存储单元相比，具有SnO2/MoOx双层薄膜结构的存储单元无需高电压初始化，擦写测试无需限制电流，写入电压一致性有明显改善。脉冲扫描测试中，高低阻态之比大于20，可擦写次数大于4×104次，高低阻态维持时间大于2×104秒等特性。本发明制备的阻变存储单元在非易失性存储领域具有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 擦写 双层 薄膜 结构 存储 单元 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种可擦写式双层薄膜结构的阻变存储器存储单元，其特征在于以二氧化锡阻变薄膜为阻变层，氧化钼薄膜为氧存储层，具体结构组成依次为：玻璃基板，金属钛薄膜，作为底电极的金属铂薄膜，二氧化锡阻变薄膜，氧化钼薄膜，作为顶电极的金属钼薄膜，即为Mo/MoOx / SnO2/Pt/Ti/玻璃基板结构，1.5
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