[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201110354571.1 | 申请日： | 2011-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN103107192A | 公开（公告）日： | 2013-05-15 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/16;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置及其制造方法。根据本发明的一种半导体装置包括：第一鳍片，由第一半导体材料形成；以及第二鳍片，包括由第二半导体材料形成的层，其中所述第一半导体材料是硅，而所述第二半导体材料是硅锗。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：第一鳍片，由第一半导体材料形成；以及第二鳍片，包括由第二半导体材料形成的层，其中所述第一半导体材料是硅(Si)，而所述第二半导体材料是硅锗(SiGe)。
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