[发明专利]LED磊晶结构及制程有效
| 申请号： | 201110354599.5 | 申请日： | 2011-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN103107257A | 公开（公告）日： | 2013-05-15 |
| 发明（设计）人： | 林雅雯;黄世晟;凃博闵 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种LED磊晶结构及制程，包括一个基板、一个缓冲层、一个结构层以及一个磊晶层。所述缓冲层成长在所述基板的顶面，所述结构层位于所述缓冲层与所述磊晶层之间。所述结构层具有复数个高、低温掺杂或无掺杂磊晶层，其中所述高、低温掺杂或无掺杂磊晶层之间具有一个粗糙面，所述粗糙面上设置一个二氧化硅层，所述二氧化硅层的顶面具有多数个以数组排列的凸块。本发明并提供制造所述LED磊晶结构的制程。 | ||
| 搜索关键词： | led 结构 | ||
【主权项】：
一种LED磊晶结构，包括一个基板、一个缓冲层、一个结构层以及一个磊晶层，所述缓冲层成长在所述基板的顶面，所述结构层位于所述缓冲层与所述磊晶层之间，其特征在于：所述结构层具有复数个高、低温掺杂或无掺杂磊晶层，其中所述高、低温掺杂或无掺杂磊晶层之间具有一个粗糙面，所述粗糙面上设置一个二氧化硅层，所述二氧化硅层的顶面具有多数个以数组排列的凸块。
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