[发明专利]光电转换层的制造方法无效
申请号: | 201110354603.8 | 申请日: | 2011-10-26 |
公开(公告)号: | CN102354718A | 公开(公告)日: | 2012-02-15 |
发明(设计)人: | 简怡峻;黄明义;萧杰予;吴一凡;林汉涂 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 郭蔚 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种光电转换层的制造方法。于基板上形成第一金属层,其包括至少两种第三族元素。于第一辅助基板上形成第一非金属层,其包括至少一种第六族元素。使第一金属层与第一非金属层接触后,进行第一热制程,以于基板与第一辅助基板之间形成第一材料混合层。将第一辅助基板与第一材料混合层分离。于第二辅助基板上依序形成包括至少一种第一族元素的第二金属层与包括至少一种第六族元素的第二非金属层。使第一材料混合层与第二非金属层接触后,进行第二热制程,以于基板与第二辅助基板之间形成第二材料混合层。分离第二辅助基板与第二材料混合层。 | ||
搜索关键词: | 光电 转换 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种光电转换层的制造方法,包括:于一基板上形成一第一金属层,该第一金属层的材质包括至少两种第三族元素;于一第一辅助基板上形成一第一非金属层,该第一非金属层的材质包括至少一种第六族元素;将该第一金属层的表面与该第一非金属层的表面接触后,对该第一金属层与该第一非金属层进行一第一热制程,以于该基板与该第一辅助基板之间形成一第一材料混合层,该第一材料混合层包括该至少两种第三族元素与该至少一种第六族元素;将该第一辅助基板与该第一材料混合层分离;于一第二辅助基板上依序形成一第二金属层与一第二非金属层,该第二金属层的材质包括至少一种第一族元素,该第二非金属层的材质包括至少一种第六族元素;将该第一材料混合层的表面与该第二非金属层的表面接触后,对该第一材料混合层与该第二金属层及该第二非金属层进行一第二热制程,以于该基板与该第二辅助基板之间形成一第二材料混合层,该第二材料混合层包括该第一材料混合层、该第二金属层及该第二非金属层所含有的元素;以及将该第二辅助基板与该第二材料混合层分离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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