[发明专利]固态发光元件的制作方法

摘要

本发明公开一种固态发光元件的制作方法。形成多个间隔排列的凸出结构于第一基板上。形成一缓冲层于此些凸出结构上，缓冲层填满于此些凸出结构之间的间隙。形成外延成长层于缓冲层上，以形成一第一半导体堆叠结构。将第一半导体堆叠结构倒置于一第二基板上，以使第一型半导体外延层接合第二基板，形成一第二半导体堆叠结构。以一第一蚀刻液蚀刻缓冲层，形成一第三半导体堆叠结构。以一第二蚀刻液渗入此些凸出结构之间的间隙中，使得此些凸出结构被蚀刻掉。将第一基板从第三半导体堆叠结构移除，以形成一第四半导体堆叠结构。

主权项

一种固态发光元件的制作方法，该方法包括：提供一第一基板；形成多个间隔排列的凸出结构于该第一基板上；形成一缓冲层于该些凸出结构上，该缓冲层填满于该些凸出结构之间的间隙；形成一由第二型半导体外延层、一有源层以及一第一型半导体外延层依序成长的外延成长层于该缓冲层上，形成一第一半导体堆叠结构；将该第一半导体堆叠结构倒置于一第二基板上，以使该第一型半导体外延层接合该第二基板，形成一第二半导体堆叠结构；以一第一蚀刻液处理该第二半导体堆叠结构，使得该缓冲层被蚀刻掉，形成一第三半导体堆叠结构；以一第二蚀刻液处理该第三半导体堆叠结构，使得该第二蚀刻液渗入位于该第一基板与该第二型半导体外延层间的该些凸出结构之间的间隙中，使得该些凸出结构被蚀刻掉；以及将该第一基板从该第三半导体堆叠结构移除，形成一包括有该第二基板以及一位于其上的外延成长层所构成的第四半导体堆叠结构。