[发明专利]一种稀土-铬-硅基磁制冷材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201110354856.5 | 申请日： | 2011-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN102383018A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 李领伟;霍德璇;彭英姿;赵士超;钱正洪 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | C22C28/00 | 分类号： | C22C28/00;C22C1/02;C22F1/02;C22F1/16;C09K5/14 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 杜军 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种稀土-铬-硅基磁制冷材料及其制备方法。本发明的磁性材料的化学通式为：R-Cr2-Si2，其中R为稀土金属Er、Gd或Dy，该磁性材料具有体心ThCr2Si2型四方晶体结构。本发明方法首先将稀土金属Er、Gd或Dy与Cr、Si按比例混合成原料，将原料置于熔炼容器内，氩气保护下反复熔炼，得到成分均匀的合金铸锭；将熔炼制得的合金铸锭密封在真空石英容器中，高温下退火，然后快速冷却至常温，制得成品。本发明方法工艺简单、成本低廉、适用于工业化，制得的磁制冷材料具有良好的磁、热可逆性质。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 稀土 硅基磁 制冷 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种稀土‑铬‑硅基磁制冷材料，其特征在于该磁制冷材料的化学通式为：R‑Cr2‑Si2，其中R为稀土金属Er、Gd或Dy；该磁制冷材料具有体心ThCr2Si2型四方晶体结构。
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