[发明专利]一种纳米材料的图形化工艺方法无效
| 申请号： | 201110354866.9 | 申请日： | 2011-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN102502485A | 公开（公告）日： | 2012-06-20 |
| 发明（设计）人： | 项荣;吴天准;桂许春;祝渊;曾海强;曾志平;苏宇泉;汤子康;丸山茂夫 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 陈卫 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种纳米材料的图形化工艺方法，该纳米材料的图形化工艺方法基于液相法实现工序少成本低；进一步地，本纳米材料的图形化工艺方法具有普适性，可用于组装各种材料与结构的纳米材料；另外，本纳米材料的图形化工艺方法精度高，易得到线宽为100nm以下的精细纳米材料结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 材料 图形 化工 方法 | ||
【主权项】：
一种纳米材料的图形化工艺方法，其特征在于包括以下步骤：1）亲水性处理：将基板用UV、化学溶液或O2等离子处理，再用去离子水冲洗该基板，直至所述基板表面形成亲水性区域；2）疏水性处理：将步骤1）得到的基板依次用甲苯和去离子水冲洗，直至所述基板表面形成疏水性区域；3）亲水‑疏水区域处理：将步骤2）中得到的基板的疏水性区域通过紫外光光照或者用电子束直接描写进行预设图形的描绘，直至所述基板的部分疏水性区域形成亲水区域，即形成亲水‑疏水区域；4）超声分散：将纳米材料溶于乙醇或将纳米材料与表面活性剂一起溶于去离子水中形成液相混合物，且将该液相混合物置于超声分散仪中进行超声分散；5）涂覆：将步骤4）中所得到的液相混合物选择性涂覆于步骤3）中所得到基板表面的亲水区域，即得到图形化的纳米材料阵列。
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