[发明专利]用于背面照明传感器的共同注入在审
申请号: | 201110354962.3 | 申请日: | 2011-11-10 |
公开(公告)号: | CN102856330A | 公开(公告)日: | 2013-01-02 |
发明(设计)人: | 陈政聪;黄薰莹;张永承;叶永富;陈毓萍;梁启源;吕受书;陈俊霖;陈家仁;申弘道;谢奇勋 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人: | 陆鑫;房岭梅 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 公开了一种用于图像感测的系统和方法。实施例包括具有像素区的衬底,该衬底具有正面和背面。沿着衬底的背面实施共同注入工艺,所述衬底的背面与沿着衬底的正面设置的感光元件相对。共同注入工艺利用形成预非晶化区的第一预非晶化注入工艺。然后注入掺杂剂,其中预非晶化区阻止或者减少了掺杂剂在感光区内的扩散或者拖尾。在共同注入区上方也可以形成抗反射层、滤色器、和微透镜。本发明还公开了一种用于背面照明传感器的共同注入。 | ||
搜索关键词: | 用于 背面 照明 传感器 共同 注入 | ||
【主权项】:
一种器件,包括:衬底,具有像素区,所述衬底包括第一面和与所述第一面相对的第二面,所述衬底具有第一组分;感光元件,靠近所述像素区中的所述衬底的所述第一面;以及共同注入区,被设置为比所述感光元件更靠近所述衬底的所述第二面,所述共同注入区包括导电掺杂剂和既非p型掺杂剂也非n型掺杂剂的材料,所述共同注入区具有不同于所述第一组分的第二组分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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