[发明专利]一种去除碲镉汞界面层的霍尔样品制备方法

摘要

本发明公开了一种去除碲镉汞界面层的霍尔样品制备方法。其方法是：使用特定腐蚀剂，对碲镉汞外延层下方的碲锌镉衬底进行腐蚀，过程中不损伤碲镉汞外延层材料，然后对去除碲锌镉衬底的碲镉汞材料进行腐蚀，以消除可能的界面层。通过此样品后续的霍尔测试，可以正确标定碲镉汞外延材料的电学性质，排除碲镉汞界面层对碲镉汞外延材料电学性质的影响。本方法操作方便，仪器要求简单，能够有效的去除碲镉汞界面层。解决了长久以来，难以排除界面层对碲镉汞材料影响，正确标定碲镉汞电学参数的问题。这对研究碲镉汞外延材料特性有着重要意义。

主权项

一种去除碲镉汞界面层的霍尔样品制备方法，其特征在于包括以下步骤：1)采用常规清洗碲镉汞外延层的方法清洗抗腐蚀基底(4)和碲镉汞外延层材料，保持材料及抗腐蚀基底表面的清洁；2)使用抗腐蚀黏胶(3)将清洗干净的碲镉汞外延材料(2)与抗腐蚀基底(4)粘紧，并放于烘箱中烘干，使碲镉汞外延材料与抗腐蚀基底紧密接触；3)使用选择性腐蚀剂去除碲锌镉衬底(1)，选择性腐蚀剂选用盐酸、硝酸和重铬酸钾，其摩尔配比为：盐酸∶硝酸∶重铬酸钾＝30‑80∶20‑60∶1‑5；4)采用溴甲醇溶液腐蚀去除碲锌镉衬底(1)的外延层材料，消除可能存在的界面层，溴甲醇溶液选用1‰～5％的溴甲醇稀释溶液；5)在去除界面层的碲镉汞外延材料(2)的四角上焊上后续进行霍尔测试所需的In电极(2‑1)。