[发明专利]测试光掩模板及其应用有效
申请号: | 201110355463.6 | 申请日: | 2011-11-10 |
公开(公告)号: | CN102520578A | 公开(公告)日: | 2012-06-27 |
发明(设计)人: | 毛智彪;戴韫青;王剑 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | G03F1/44 | 分类号: | G03F1/44;H01L21/66 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 陆花 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种测试光掩模板,用于测试当前金属层的平坦度与图形密度的关系,所述测试光掩模板的版图由nxm个区域构成,每个所述区域具有不同的图形密度,每个区域包括孤立线条、孤立线条两侧的亚分辨率辅助图形和可分辨率辅助图形、半密集线条、密集线条和冗余图形阵列。本发明使用具有金属层冗余金属填充应用功能、扩大光刻工艺窗口功能和监测光刻工艺中产生缺陷功能的测试光掩模板,有效的扩大光刻工艺窗口且改善金属层化学机械研磨的局部区域平坦度、提高金属层冗余金属填充设计和金属层化学机械研磨工艺开发的效率,提高预测经过化学机械研磨后金属层平坦度和需要的图形密度调整的效率,同时减少光刻工艺中所使用测试光掩模的成本。 | ||
搜索关键词: | 测试 模板 及其 应用 | ||
【主权项】:
一种测试光掩模板,用于测试当层金属层的平坦度与图形密度的关系,其特征在于:所述测试光掩模板的版图由nxm个区域构成,每个所述区域具有不同的图形密度,每个区域包括孤立线条、孤立线条两侧的亚分辨率辅助图形和可分辨率辅助图形、半密集线条、密集线条和冗余图形阵列,其中n为大于等于1的整数,m为大于等于1的整数。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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