[发明专利]硫化镉和碲化镉的混和溅射靶以及它们使用的方法无效
| 申请号： | 201110355965.9 | 申请日： | 2011-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN102453875A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | S·D·费尔德曼-皮博迪 | 申请（专利权）人： | 初星太阳能公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/06;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 柯广华;朱海煜 |
| 地址： | 美国科*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明名称为“硫化镉和碲化镉的混和溅射靶以及它们使用的方法”。一般地公开了混和靶(64)，用于溅射硫化镉和碲化镉的混合层(19)。混和靶(64)可包括硫化镉和碲化镉。还提供了形成混和靶(64)的方法。例如，可从粉末状硫化镉和粉末状碲化镉形成粉末状混和物，并且将该混和物压入到混和靶(64)中。还一般地公开了用于制造具有混合层(19)的、基于碲化镉的薄膜光伏器件(10)的方法。例如，硫化镉和碲化镉的混和靶(64)可直接溅射在硫化镉层(18)上，以形成混合层(19)，并且可在混合层(19)上形成碲化镉层(20)。 | ||
| 搜索关键词： | 硫化 碲化镉 混和 溅射 以及 它们 使用 方法 | ||
【主权项】：
一种用于溅射硫化镉和碲化镉的混合层(19)的混和靶(64)，所述混和靶(64)包括：硫化镉；以及碲化镉，其中，所述混和靶(64)配置成溅射以形成混合硫化镉和碲化镉的薄膜层(19)。
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