[发明专利]一种多栅极场效应晶体管器件的制造方法有效
| 申请号： | 201110356209.8 | 申请日： | 2011-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN103107072A | 公开（公告）日： | 2013-05-15 |
| 发明（设计）人： | 陈勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出一种制作鳍型场效应晶体管的方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成一个或者更多个鳍片；对所述鳍片进行掺杂；使用TMAH对所述鳍片进行刻蚀以形成Ω型鳍片；对所述鳍片进行热退火处理。鳍片顶端在TMAH中有非常缓慢的刻蚀速率。由于注入杂质的掺杂浓度随高度变化呈高斯分布，鳍片顶部的掺杂浓度比底部高，因此鳍片顶部在TMAH中有非常缓慢的刻蚀速率。根据这种特点，可以采用TMAH湿法刻蚀进行FinFET中鳍片的刻蚀，从而制作Ω-型场效应晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 栅极 场效应 晶体管 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种鳍型场效应晶体管的制作方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成一个或者更多个鳍片；对所述鳍片进行掺杂；使用TMAH对所述鳍片进行刻蚀以形成Ω型鳍片；对所述鳍片进行热退火处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
