[发明专利]提拉法在非化学计量比熔体中生长Ca12Al14O33单晶的方法无效
| 申请号： | 201110357437.7 | 申请日： | 2011-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN102383186A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 王锐;孙金超;仇兆忠 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B29/22 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 韩末洙 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 提拉法在非化学计量比熔体中生长Ca12Al14O33单晶的方法，它涉及Ca12Al14O33单晶的生长方法。本发明要解决现有生长Ca12Al14O33单晶存在对铱坩锅的腐蚀比较严重，透光性大幅度的下降，晶格的畸变和开裂，尺寸限制大等技术问题。方法：一、分别称取CaO和Al2O3；二、然后混合研磨均匀，压片，放入刚玉坩埚中，恒温，降温至室温；三、重复步骤二操作2～3次；四、采用提拉法生长晶体，即得到Ca12Al14O33单晶。在光学方面由于C12A7材料的独特结构，C12A7掺杂材料在蓝光发射和白光的调谐方面可以用于半导体激光器材料。 | ||
| 搜索关键词： | 提拉法 化学 计量 熔体中 生长 ca sub 12 al 14 33 方法 | ||
【主权项】：
提拉法在非化学计量比熔体中生长Ca12Al14O33单晶的方法，其特征在于提拉法在非化学计量比熔体中生长Ca12Al14O33单晶的方法是按下述步骤进行的：一、分别称取CaO和Al2O3后混合，其中CaO与Al2O3的摩尔比为12.1∶7，CaO得到质量纯度大于99.99％，Al2O3的质量纯度大于99.99％；二、然后研磨均匀，再放入压片机压成圆片，将圆片放入刚玉坩埚中，在马弗炉中升温至1250～1300℃，恒温10～15小时，降温至室温；三、重复步骤二操作2～3次；四、然后置于铱金坩埚中，再在放入提拉炉中，然后将提拉炉抽为真空，再充入氧气和氮气的混合气体，氧气占混合气体体积的4％～5％然后在1329℃生长温度条件下，以0.3～2.0毫米/小时的提升速度及5～8转/分钟的晶转采用提拉法生长晶体生长24小时，即得到Ca12Al14O33单晶。
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