[发明专利]一种三维多级SnO2纳米花的制备方法

摘要

本发明涉及一种三维多级SnO2纳米花的制备方法，其特征在于所述的制备SnO2纳米花的起始原料为SnCl2·2H2O、NaOH、CTAB和去离子水；制备过程包括水热、离心、洗涤、烘干和焙烧；所制备的SnO2纳米花的结构特征为由三维的SnO2纳米片组装而成的三维多级花状结构；所制备的SnO2纳米花的直径为1～3μm，纳米片的厚度为20～40nm。本次发明公开了所述三维多级SnO2纳米花的具体制备方法。本发明的有益效果在于：所采用的制备SnO2纳米花的原材料廉价易得；所采用的制备SnO2纳米花的制备方法环境友好、水热温度低能耗小；所采用的制备SnO2纳米花的制备方法操作简单、可重复性强、产率高，适于批量生产；所述的三维多级SnO2纳米花形貌特殊罕见，可用于传感器、催化剂、催化剂载体等材料，有着良好的应用前景。

主权项

一种三维多级SnO2纳米花的制备方法，其特征在于所述的SnO2纳米花的制备方法为低温水热合成方法，所述的SnO2纳米花的结构特征为由SnO2纳米片组装而成的三维多级花状结构。