[发明专利]半导体装置及其试验方法有效
| 申请号： | 201110359048.8 | 申请日： | 2011-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN102646721A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 楢崎敦司 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/84 | 分类号： | H01L29/84;H01L21/66 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 毛立群;王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置及其试验方法，其目的在于提供一种抑制在半导体芯片中局部地流过大的电流的技术。半导体装置具备：半导体芯片（1），具有栅极电极（5）；以及应力检测用元件（7），设置在半导体芯片（1）的表面，检测对该表面施加的应力。而且，半导体装置基于用应力检测用元件（7）检测出的应力，控制对栅极电极（5）施加的控制信号。此外，优选设置有检测对俯视中半导体芯片（1）的中央部施加的应力的应力检测用元件（7）来作为第1应力检测用元件（7-1），设置有检测对俯视中半导体芯片（1）的外周部施加的应力的应力检测用元件（7）来作为第2应力检测用元件（7-2）。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 试验 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其中，具备：半导体芯片，具有控制电极；以及应力检测用元件，设置在所述半导体芯片的表面，检测对该表面施加的应力，基于以所述应力检测用元件检测出的应力，控制对所述控制电极施加的控制信号。
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