[发明专利]SiC半导体晶片的标刻方法以及SiC半导体晶片无效
| 申请号： | 201110359111.8 | 申请日： | 2011-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN102653035A | 公开（公告）日： | 2012-09-05 |
| 发明（设计）人： | 土屋范晃 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | B23K26/36 | 分类号： | B23K26/36;H01L23/544 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 毛立群;王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及SiC半导体晶片的标刻方法以及SiC半导体晶片。在对SiC晶片的激光标刻中，一边确保刻印的图案的高可见性，一边抑制微粒的产生。对SiC晶片（100）的标识符（101）的标刻通过使用YAG激光的4次谐波的脉冲激光的照射来进行。此时，以脉冲激光的每个脉冲的脉冲照射痕（1）互相不重叠的方式，设定激光头移动的速度以及轨道、进行照射的脉冲激光的输出功率以及调Q频率等。 | ||
| 搜索关键词： | sic 半导体 晶片 方法 以及 | ||
【主权项】：
一种SiC半导体晶片的标刻方法，其特征在于，具备：准备SiC半导体晶片（100）的工序；以及标刻工序，通过一边从激光头向所述SiC半导体晶片照射激光，一边使所述激光头相对于所述SiC半导体晶片移动，从而在所述SiC半导体晶片的表面刻印由所述激光的照射痕（1）构成的规定图案，所述激光是使用了YAG激光的4次谐波的脉冲激光，在所述标刻工序中，所述激光头以所述脉冲激光的连续的脉冲的照射痕（1）不重叠的速度、并且在不对先形成的所述照射痕（1）重叠地照射所述脉冲激光的轨道中移动。
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