[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、显示器件无效
| 申请号： | 201110359315.1 | 申请日： | 2011-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN102646595A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 李延钊;王刚;孙力;关爽 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/786;H01L29/51 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 罗建民;陈源 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了薄膜晶体管的制造方法，其包括下列步骤：提供衬底，形成有源层，形成栅极金属层以及形成源漏金属层，该方法还包括在氧化气氛中加热所述有源层来形成第一栅极绝缘层。本发明还提供了一种薄膜晶体管以及包括该薄膜晶体管的显示器件。本发明的方法能够形成致密的栅极绝缘层，减少栅极绝缘层的厚度和工艺时间，同时减少薄膜晶体管器件的漏电流而提升器电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 显示 器件 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管的制造方法，包括下列步骤：提供衬底，形成有源层，形成栅极金属层，以及形成源漏金属层，其特征在于，该方法还包括：在氧化气氛中加热所述有源层来形成第一栅极绝缘层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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