[发明专利]修补氧化物半导体层的缺陷的方法有效
| 申请号： | 201110359413.5 | 申请日： | 2011-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN102354657A | 公开（公告）日： | 2012-02-15 |
| 发明（设计）人： | 高逸群;杜振源;林俊男;吴淑芬 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/477 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 封新琴 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种修补氧化物半导体层的缺陷的方法，包括下列步骤。首先提供基板，并于基板上形成氧化物半导体层。接着将基板载入反应室内，并于反应室内通入至少一种有机气体，以使反应室内形成有机气体环境。随后，在有机气体环境下对氧化物半导体层进行退火制程，以修补氧化物半导体层的缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 修补 氧化物 半导体 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
一种修补氧化物半导体层的缺陷的方法，包括：提供基板，并于该基板上形成一氧化物半导体层；将该基板载入反应室内，并于该反应室内通入至少一种有机气体，以使该反应室内形成有机气体环境；以及在该有机气体环境下对该氧化物半导体层进行退火制程，以修补该氧化物半导体层的缺陷。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于友达光电股份有限公司，未经友达光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110359413.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：中风产生的血管发生增强剂及其用途
- 下一篇：一种大功率LED微循环散热装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
