[发明专利]一种OTFT集成传感器阵列及其制作方法有效
| 申请号： | 201110359421.X | 申请日： | 2011-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN102435634A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 太惠玲;蒋亚东;严剑飞;李娴;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G01N27/00 | 分类号： | G01N27/00;B81B7/04;B81C1/00 |
| 代理公司： | 成都华典专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 杨保刚;徐丰 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种OTFT集成传感器阵列，包括至少集成在同一个硅基片上四个以上的OTFT传感器单元，其特征在于：①所述OTFT传感器单元采用底电极器件构型，四个OTFT传感器单元共用源极和栅极，并且源极和漏极之间的沟道设计为叉指结构；②源极和漏极为金/钛双层膜：采用金材料做电极层，钛材料作为过渡层；③源极、漏极和栅极三端电极分别通过外引线来实现OTFT阵列的测试；④所述OTFT集成传感器阵列以有机/无机纳米复合薄膜为敏感薄膜。该OTFT集成传感器阵列结构简单，选择性好，灵敏度高，在环境监测、食品安全及军事等领域均具有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 otft 集成 传感器 阵列 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种OTFT集成传感器阵列，包括至少集成在同一个硅基片上四个以上的OTFT传感器单元，其特征在于：![]()
所述OTFT传感器单元采用底电极器件构型，四个OTFT传感器单元共用源极和栅极，并且源极和漏极之间的沟道设计为叉指结构；![]()
源极和漏极为金/钛双层膜：采用金材料做电极层，钛材料作为过渡层；![]()
源极、漏极和栅极三端电极分别通过外引线来实现OTFT阵列的测试；![]()
所述OTFT集成传感器阵列以有机/无机纳米复合薄膜为敏感薄膜。
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