[发明专利]宽波带光源装置有效

专利信息
申请号: 201110359447.4 申请日: 2008-07-31
公开(公告)号: CN102394467A 公开(公告)日: 2012-03-28
发明(设计)人: 胡烨 申请(专利权)人: C2C晶芯科技公司
主分类号: H01S3/081 分类号: H01S3/081;H01S3/108;H01S3/0933
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 余刚;吴孟秋
地址: 加拿大*** 国省代码: 加拿大;CA
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摘要: 发明涉及一种应用铁电极板晶畴反转的方法的宽波带光源装置,该装置组成如下:激光晶体,可生成波长为λf的基础光,为以下的二次谐波产生过程所必需;光学非线性晶体,用于生成波长为λf/2的二次谐波光;泵浦二极管激光器,波长为λp;第一光学共振腔,可将波长为λf的光限制在装有激光晶体和非线性晶体的共振腔中;第二光学共振腔,可将波长为λf/2的光限制在非线性晶体中;第一温度控制器,位于激光晶体下方,用于控制激光晶体的温度;第二温度控制器,位于非线性晶体下方,用于控制非线性晶体的温度和使非线性晶体内波长为λf/2的光的强度最大化。
搜索关键词: 宽波带 光源 装置
【主权项】:
一种宽波带光源装置,其组成如下:激光晶体,可生成波长为λf的基础光,为以下的二次谐波产生过程所必需;光学非线性晶体,用于生成波长为λf/2的二次谐波光;泵浦二极管激光器,波长为λp;第一光学共振腔,可将波长为λf的光限制在装有激光晶体和非线性晶体的共振腔中;第二光学共振腔,可将波长为λf/2的光限制在非线性晶体中;第一温度控制器,位于激光晶体下方,用于控制激光晶体的温度;第二温度控制器,位于非线性晶体下方,用于控制非线性晶体的温度和使非线性晶体内波长为λf/2的光的强度最大化。
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