[发明专利]s-bus单总线通讯电路有效

专利信息
申请号: 201110359472.2 申请日: 2011-11-14
公开(公告)号: CN102447601A 公开(公告)日: 2012-05-09
发明(设计)人: 李童;宋涛;王珺;杨亚萍;柏爱川;左兴龙;祝环芬;王俊;白岩;王俊超;贾桑 申请(专利权)人: 中国石油天然气集团公司
主分类号: H04L12/40 分类号: H04L12/40
代理公司: 北京市德权律师事务所 11302 代理人: 刘丽君
地址: 100007 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了s-bus单总线通讯电路,其中MCU置位信号分别与NMOS管(M1)的栅极以及NMOS管(M2)的栅极的连接;s-bus单总线分别与NMOS管(M1)的漏极、PMOS管(M3)的栅极、PMOS管(M3)的源极以及NMOS管(M2)的漏极连接;NMOS管(M2)的源极接地,PMOS管(M3)的漏极与NMOS管(M2)的源极连接;MCU发送信号与反向三态缓冲器的第一输入端连接,NMOS管(M2)的源极与反向三态缓冲器的第二输入端连接,MCU发送控制信号与反向三态缓冲器的第一控制端连接,反向三态缓冲器的第二控制端接地,反向三态缓冲器的第一输出端与NMOS管(M2)的源极连接,MCU接收信号(MCUSCI-Rx)与反向三态缓冲器的第二输出端连接。本发明将单片机的SCI总线转换为无源单总线,实现异步串行准双工方式通讯。
搜索关键词: bus 总线 通讯 电路
【主权项】:
s‑bus单总线通讯电路,其特征在于,包括NMOS管(M1、M2)、PMOS管(M3)以及反向三态缓冲器(U1);MCU置位信号(MCU RST)分别与NMOS管(M1)的栅极以及NMOS管(M2)的栅极的连接;s‑bus单总线分别与NMOS管(M1)的漏极、PMOS管(M3)的栅极、PMOS管(M3)的源极以及NMOS管(M2)的漏极连接;NMOS管(M2)的源极接地,PMOS管(M3)的漏极与NMOS管(M2)的源极连接;MCU发送信号(MCT SCT‑Tx)与反向三态缓冲器(U1)的第一输入端连接,NMOS管(M2)的源极与反向三态缓冲器(U1)的第二输入端连接,MCU发送控制信号与反向三态缓冲器(U1)的第一控制端连接,反向三态缓冲器(U1)的第二控制端接地,反向三态缓冲器(U1)的第一输出端与NMOS管(M2)的源极连接,MCU接收信号(MCU SCI‑Rx)与反向三态缓冲器(U1)的第二输出端连接。
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