[发明专利]一种制备SiC纳米线和纳米带的方法

摘要

本发明涉及一种制备SiC纳米线和纳米带的方法。该方法以反应烧结和原位反应相结合的两步法在制备的Si-SiC复相陶瓷基体上制备SiC纳米线和纳米带，该方法可以低成本、简单、高效地制备大量的高纯SiC纳米线和纳米带，解决了现在技术中SiC纳米线和纳米带的制备工艺复杂、成本较高、不易控制、制备的产品不纯等问题。

主权项

一种制备SiC纳米线和纳米带的方法，其特征在于步骤如下：步骤1：称取质量百分比为70～85％的Si粉，5～15％的SiC粉，7～15％的C粉和3～10％的Al2O3粉，置于松脂球磨罐中，球磨混合处理2～4小时得到混合粉料；步骤2：将混合粉料一半放入石墨坩埚中，再放入块状石墨，另一半混合粉料覆盖在块状石墨之上；步骤3：将石墨坩埚放入石墨为发热体的热压真空反应炉中，对真空炉进行真空处理后，通Ar气至常压，以5～10℃/min升温速度将炉温从室温升至2000‑2200℃，保温1～3小时；关闭电源自然冷却至室温，在块状石墨表面得到Si‑SiC复相陶瓷；整个过程中通Ar气保护；步骤4：采用石墨纸包裹Si‑SiC复相陶瓷，放入石墨为发热体的热压真空反应炉中，对真空炉进行真空处理后，通Ar气至常压，以5～10℃/min升温速度将炉温从室温升至1500～1700℃，保温1‑3小时；关闭电源自然冷却至室温，整个过程中通Ar气保护；步骤5：取出Si‑SiC复相陶瓷，清理表面的石墨纸，在Si‑SiC复相陶瓷的表面得到SiC纳米线和SiC纳米带。