[发明专利]Si基HEMT嵌入式微加速度计及其生产方法无效
| 申请号： | 201110359745.3 | 申请日： | 2011-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN102401840A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 刘俊;唐军;薛晨阳;张斌珍;张文栋;田学东;李长龙;史伟莉;谭振新;臧俊斌 | 申请（专利权）人： | 中北大学 |
| 主分类号： | G01P15/08 | 分类号： | G01P15/08;G01P15/09;G01P15/12;B81C1/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 030051*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种Si基HEMT嵌入式微加速度计，包括Si衬底，所述Si衬底包括由刻蚀形成的外围基座、悬臂梁和质量块构成的微加速度计结构；所述Si衬底在高电子迁移率晶体管(HEMT)的加工位置处具有HEMT材料层薄膜，并且所述HEMT材料层薄膜包括GexSi1-x缓冲层和其它HEMT材料层；在所述HEMT材料层薄膜上加工有高电子迁移率晶体管(HEMT)。本发明进一步提供了上述Si基HEMT嵌入式微加速度计的生产方法。本发明所述微加速度计解决了GaAs基微结构的弹性较差，应用过程中容易断裂、测试工作难度较大等问题。 | ||
| 搜索关键词： | si hemt 嵌入 式微 加速度计 及其 生产 方法 | ||
【主权项】：
一种Si基HEMT嵌入式微加速度计，包括Si衬底，所述Si衬底包括由刻蚀形成的外围基座、悬臂梁和质量块构成的微加速度计结构；其特征在于：所述Si衬底在高电子迁移率晶体管(HEMT)的加工位置处具有HEMT材料层薄膜，并且所述HEMT材料层薄膜包括GexSi1‑x缓冲层和其它HEMT材料层；在所述HEMT材料层薄膜上加工有高电子迁移率晶体管(HEMT)。
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