[发明专利]一种一维金属/半导体纳米异质结晶体管及其制备方法

摘要

本发明提出一种一维金属/半导体纳米异质结晶体管及制备方法，该方法包括以下步骤：提供具有氧化层硅片；在氧化层上设置第一电极对和与其成预定角度的第二电极对，第一电极对包括第一和第二电极，第二电极对包括第三和第四电极；在第一和第二电极之间放入电镀液并对其施加交流电形成中间部分断开的一维金属纳米线；在中间断开处放入包含半导体纳米线的悬浮液并对其施加交流电将半导体纳米线与一维金属纳米线连接；在第三和第四电极之间形成另一一维金属纳米线。该方法实现载流子一维电传导减弱了散射效应的影响。并利用交流电沉积和介电电泳相结合的方法组装一维异质结在目标位置。具有无需掩模和真空环境的特点，成本低，适合批量生产。

主权项

一种一维金属/半导体纳米异质结晶体管，其特征在于，包括：基片，所述基片的上表面形成有氧化层；第一电极对，所述第一电极对设置在所述氧化层上，所述第一电极对包括间隔布置的第一和第二电极，其中所述第一和第二电极通过一维金属/半导体异质结纳米线相连；第二电极对，所述第二电极对设置在所述氧化层上且与所述第一电极对成预定角度，所述第二电极对包括间隔布置的第三和第四电极，其中所述第三和第四电极通过一维金属纳米线相连，其中，所述第二电极对之间的一维金属纳米线与所述第一电极对之间的一维金属/半导体异质结纳米线的半导体纳米线交汇。