[发明专利]一种碳包覆制备单分散晶体二氧化硅球形颗粒的方法有效
| 申请号： | 201110360535.6 | 申请日： | 2011-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN103101918B | 公开（公告）日： | 2017-07-21 |
| 发明（设计）人： | 姜兴茂;姜兴盛 | 申请（专利权）人： | 常州英中纳米科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/18 | 分类号： | C01B33/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 213023 江苏常州市钟楼经*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种碳包覆制备单分散球形二氧化硅晶体颗粒的方法，主要解决现有的二氧化硅晶体颗粒制备过程中颗粒团聚、大小不均匀、形状不规则和成本较高的缺点。本发明采用一种制备单分散二氧化硅晶体球形颗粒的方法，包括以下步骤(1)在单分散无晶形二氧化硅球形颗粒表面通过气溶胶法或水热法包覆一厚度均匀的碳层得到核‑壳结构二氧化硅/碳颗粒；(2)高温处理核‑壳结构颗粒将无晶形二氧化硅晶化为石英或方晶石；(3)在相对低的温度下氧化去除覆盖碳层得到单分散球形二氧化硅晶体颗粒的技术方案，较好的解决了该问题，该球形单分散纳米、亚微米、微米二氧化硅晶体颗粒可以用于催化、膜分离、超大规模集成电路封装材料及半导体行业、精密阀门、硬磁盘、磁头的表面抛光处理等。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳包覆 制备 分散 晶体 二氧化硅 球形 颗粒 方法 | ||
【主权项】：
一种碳包覆制备单分散晶体二氧化硅球形颗粒的方法，包括以下步骤：(1)通过气溶胶法或水热法在单分散无晶形二氧化硅球形颗粒表面包覆一厚度均匀的碳层得到核‑壳结构二氧化硅/碳颗粒；(2)高温处理核‑壳结构颗粒将无晶形二氧化硅晶化为石英或方晶石；(3)在较低温度下氧化去除覆盖碳层得到单分散球形二氧化硅晶体颗粒。
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