[发明专利]用于半导体晶片与装置的具有阻挡层的镍锡接合体系有效
| 申请号： | 201110360898.X | 申请日： | 2008-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN102447025A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 马修·德奥诺费奥;大卫·B·斯雷特;约翰·A·埃德蒙德;华双·孔 | 申请（专利权）人： | 科里公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/62 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管结构(37)，其包括由外延层(21，22)形成的发光激活部和支承该激活部的载体基底(23)。以镍和锡为主的接合金属体系(27)将该激活部连接至该载体基底。至少一层钛粘附层(25，26)在该激活部与该载体基底之间，铂阻挡层(35，40)在该镍-锡接合体系与该钛粘附层之间。该铂层具有的厚度足以基本上防止该镍锡接合体系中的锡迁移至该钛粘附层中或迁移通过该钛粘附层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 晶片 装置 具有 阻挡 接合 体系 | ||
【主权项】：
一种发光二极管用前体结构，所述前体结构包括：发光激活部，其由至少两个第III族氮化物的外延层形成；在所述激活部上的接合金属体系，所述接合金属体系包括在两个镍外层之间的锡中间层，其中锡的相对量大于通过与任一单一镍层反应消耗的量，但是小于提供超过两个镍层的功能性反应的锡的量；和在所述激活部与所述接合金属体系之间的铂阻挡层，其用于防止所述接合体系中的锡迁移通过所述阻挡层。
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