[发明专利]一种真空溅射镀膜用硅铝合金中空旋转靶材的制备方法无效

专利信息
申请号: 201110360926.8 申请日: 2011-11-15
公开(公告)号: CN102352483A 公开(公告)日: 2012-02-15
发明(设计)人: 缑彦春;王彬 申请(专利权)人: 江苏美特林科特殊合金有限公司
主分类号: C23C14/34 分类号: C23C14/34;C23C14/14;B22F3/14
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人: 柏尚春
地址: 211153 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种真空溅射镀膜用硅铝合金中空旋转靶材的制备方法,该方法流程为原料硅粉、铝粉——混料——装套——高真空加热除气、封焊——热等静压成型——机加工——成品。本发明是一种工艺参数易于控制,工艺流程短,产品成材率高,原料利用率高,可获得高质量硅铝合金中空旋转靶材的工艺。制备的硅铝合金靶材在功能镀和装饰镀上有广阔的应用前景。
搜索关键词: 一种 真空 溅射 镀膜 铝合金 中空 旋转 制备 方法
【主权项】:
一种真空溅射镀膜用硅铝合金中空旋转靶材的制备方法,其特征在于包括以下步骤:1)将硅粉和铝粉按硅粉含量大于50%(重量)的比例混合4~16小时;2)将混合后的硅粉和铝粉装入包套容器,在200~500℃下进行高真空加热除气;3)将包套容器封焊,再采用热等静压加压烧结成型,热等静压的成型温度为800~1300℃,压力为80~150MPa,加压保温时间为1~6小时;4)经热等静压成型后的硅铝合金直接与包套容器中的衬管达到固态结合,构成真空溅射镀膜用靶材模组坯料;5)最后将坯料按照要求机加工至成品。
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