[发明专利]一种金属-氮化硅-金属电容的制造方法有效
| 申请号： | 201110361154.X | 申请日： | 2011-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN102446709A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 毛智彪;胡友存;徐强 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种金属-氮化硅-金属电容的制造方法，其步骤包括：1）沉积低k值介质层；2）通过光刻和刻蚀形成MOM区域；3）利用等离子体增强型化学气相沉积方法（PECVD）沉积高k值氮化硅；4）化学机械研磨去除多余氮化硅，形成低k值介质和氮化硅的混合层；5）完成光刻和刻蚀在低k值介质和氮化硅中形成金属槽；6）完成金属层沉积和金属层化学机械研磨后形成导线和MOM电容器的金属填充；7）完成铜互连和MOM电容器的制作。本发明通过提高层内电容器的电介质的k值，有效地提高层内电容器的电容。通过改善高k值氮化硅的性能，有效地改善MOM电容器的击穿电压、漏电流等各电特性，以及各器件间的电学均匀性，非常适于实用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 氮化 电容 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种金属‑氮化硅‑金属电容器的制作方法，其特征在于：其具有以下步骤：1）沉积低k值介质层；2）通过光刻和刻蚀形成MOM区域；3）利用等离子体增强型化学气相沉积方法（PECVD）沉积高k值氮化硅；4）化学机械研磨去除多余氮化硅，形成低k值介质和氮化硅的混合层；5）完成光刻和刻蚀在低k值介质和氮化硅中形成金属槽；6）完成金属层沉积和金属层化学机械研磨后形成导线和MOM电容器的金属填充；7）完成铜互连和MOM电容器的制作。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
