[发明专利]用于多电流注入区器件的倒装焊结构及其制作方法无效
申请号: | 201110361688.2 | 申请日: | 2011-11-15 |
公开(公告)号: | CN102427108A | 公开(公告)日: | 2012-04-25 |
发明(设计)人: | 李新坤;金鹏;王占国 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | H01L33/62 | 分类号: | H01L33/62;H01L33/64;H01S5/022 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 汤保平 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种用于多电流注入区器件的倒装焊结构,该倒装焊结构包括:一金属热沉;一导热绝缘层,该导热绝缘层制作在金属热沉上;一金属图形层,该金属图形层制作在导热绝缘层的表面,该金属图形层具有两个或两个以上分区;一半导体器件芯片,该半导体器件芯片焊接在金属图形层上,该半导体器件芯片具有两个或两个以上电流注入区。 | ||
搜索关键词: | 用于 电流 注入 器件 倒装 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种用于多电流注入区器件的倒装焊结构,该倒装焊结构包括:一金属热沉;一导热绝缘层,该导热绝缘层制作在金属热沉上;一金属图形层,该金属图形层制作在导热绝缘层的表面,该金属图形层具有两个或两个以上分区;一半导体器件芯片,该半导体器件芯片焊接在金属图形层上,该半导体器件芯片具有两个或两个以上电流注入区。
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