[发明专利]量子点曝光板及应用所述量子点曝光板的光刻工艺无效
申请号: | 201110362036.0 | 申请日: | 2011-11-15 |
公开(公告)号: | CN103105724A | 公开(公告)日: | 2013-05-15 |
发明(设计)人: | 戎乐天 | 申请(专利权)人: | 台湾创新记忆体股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F7/20 |
代理公司: | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人: | 江耀纯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种量子点曝光板,其包含一基板、一量子点阵列、多条行控制线及多条列控制线。所述行控制线及列控制线可控制所对应的量子点发光使得所述量子点阵列呈现出一发光图形以在无光掩模的环境下曝光一光阻。 | ||
搜索关键词: | 量子 曝光 应用 光刻 工艺 | ||
【主权项】:
一种量子点曝光板,其特征在于,包含:一基板;一量子点阵列,其设在所述基板上并由多行量子点或多列量子点组成;多条行控制线,所述每一行控制线对应地电性连接至所述多行量子点中的其中一行并提供一行控制电压;及多条列控制线,所述每一列控制线对应地电性连接至所述多列量子点中的其中一列并提供一列控制电压,其中所述行控制电压与所述列控制电压可控制所对应的量子点发光使得所述量子点阵列呈现出一发光图形以曝光一光阻。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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