[发明专利]发光器件有效
| 申请号： | 201110362166.4 | 申请日： | 2011-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN102569569A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 丁钟弼;李祥炫;李善浩;尹浩相 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/12;H01L33/32;H01L33/04;H01L33/48;H01L33/62 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 夏凯;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光器件。发光器件可以包括发光结构，该发光结构包括第一半导体层、第二半导体层以及第一半导体层和第二半导体层之间的有源层，其中有源层包括：发光层，发光层与第二半导体层相邻的并且包括阱层和势垒层；和超晶格层，位于发光层和第一半导体层之间，超晶格层包括至少六对第一层和第二层，其中第一层的成分包括铟(In)并且第二层包括铟(In)，并且第一层的成分不同于第二层的成分。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 | ||
【主权项】：
发光器件，包括：发光结构，所述发光结构包括第一半导体层、第二半导体层以及所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的有源层，其中所述有源层包括：发光层，所述发光层与第二半导体层相邻并且包括阱层和势垒层；和所述发光层和所述第一半导体层之间的超晶格层，所述超晶格层包括至少六对第一层和第二层，其中所述第一层的成分包括铟(In)以及所述第二层包括铟(In)，并且所述第一层的成分不同于所述第二层的成分。
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