[发明专利]聚吡咯纳米管嵌纳米孔阵列材料及其制备方法和储能应用有效

专利信息
申请号: 201110362862.5 申请日: 2011-11-16
公开(公告)号: CN102522210A 公开(公告)日: 2012-06-27
发明(设计)人: 谢一兵;杜洪秀 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: H01G9/042 分类号: H01G9/042;C25D11/26;C25D9/02
代理公司: 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 代理人: 汤志武
地址: 211189 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种聚吡咯纳米管嵌纳米孔阵列材料,所述的聚吡咯纳米管嵌纳米孔阵列材料包括:聚吡咯基体,在聚吡咯基体上设有呈阵列分布且两端通透的纳米孔,在纳米孔内嵌入聚吡咯纳米管,聚吡咯纳米管外壁与纳米孔内壁之间设有间隙。采用脉冲伏安法进行调控的电聚合反应方法,得到由二氧化钛纳米管、包覆在纳米管外壁面上的聚吡咯纳米膜和包覆在纳米管内壁面上的聚吡咯纳米膜复合而成的同心轴中空结构的聚吡咯包覆二氧化钛纳米管复合阵列材料,采用化学腐蚀溶解方法,氢氟酸完全去除二氧化钛有序纳米管模板后得到聚吡咯纳米管嵌纳米孔阵列材料。所述的聚吡咯纳米管嵌纳米孔阵列材料作为超级电容器电极材料进行电化学储能应用。
搜索关键词: 吡咯 纳米 阵列 材料 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
一种聚吡咯纳米管嵌纳米孔阵列材料,其特征在于:所述的聚吡咯纳米管嵌纳米孔阵列材料包括:聚吡咯基体(1),在聚吡咯基体(1)上设有呈阵列分布且两端通透的纳米孔(2),在纳米孔(2)内嵌入聚吡咯纳米管(3),聚吡咯纳米管(3)外壁与纳米孔(2)内壁之间设有间隙。
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