[发明专利]硅通孔结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201110363430.6 | 申请日： | 2011-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN102420201A | 公开（公告）日： | 2012-04-18 |
| 发明（设计）人： | 汪学方;徐春林;王宇哲;徐明海;胡畅;刘胜 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 朱仁玲 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅通孔结构的制造方法，包括以下步骤：将硅片的厚度减薄至5微米至20微米；去除硅片表面的所有绝缘层；在硅片的导电区表面和绝缘区表面制作掺杂掩膜，以对导电区和绝缘区分别进行粒子掺杂，绝缘区与导电区掺杂的粒子的极性相反；在粒子掺杂完成后去除掺杂掩膜；在导电区表面覆盖金属电极；在硅片的表面除金属电极之外的区域覆盖绝缘层。本发明的方法制造工艺简单，可避免刻蚀、绝缘处理等工艺对硅片的破坏，并能够提高制造硅通孔结构的成品率。本发明还公开了一种硅通孔结构。 | ||
| 搜索关键词： | 硅通孔 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种硅通孔结构，其形成于硅片上，并包括掺杂粒子构成的导电区和绝缘区，其特征在于：所述绝缘区与所述导电区掺杂的粒子的极性相反，所述导电区表面覆盖有金属电极，所述硅片的表面除所述金属电极之外的区域覆盖有绝缘层。
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