[发明专利]银纳米片组成的薄膜及其制备方法和用途无效

专利信息
申请号: 201110363748.4 申请日: 2011-11-09
公开(公告)号: CN103103608A 公开(公告)日: 2013-05-15
发明(设计)人: 朱储红;孟国文 申请(专利权)人: 中国科学院合肥物质科学研究院
主分类号: C30B29/02 分类号: C30B29/02;C30B29/64;C30B30/02;C25C5/02;B82Y40/00;B82Y30/00;G01N21/65
代理公司: 合肥和瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 34118 代理人: 任岗生;王挺
地址: 230031*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种银纳米片组成的薄膜及其制备方法和用途。薄膜为导电衬底上覆有纳米扁枝簇组成的膜厚为200~500nm的薄膜,其中,簇中的纳米扁枝间的间隙为1~15nm,其由边缘为弧形的纳米片串接构成,纳米片的片厚为10~50nm、片宽为30~300nm、片长为90~150nm;方法为先将硝酸银水溶液、柠檬酸水溶液和水混合后搅拌得到混合液,再将硼氢化钠水溶液注入混合液中搅拌并老化得到银仔晶溶液,之后,先将银仔晶溶液涂覆于导电衬底上晾干,再将其上覆有银仔晶的导电衬底作为阴极置于由硝酸银水溶液和柠檬酸水溶液构成的电解液中,于电流密度为0.1~1mA/cm2的恒电流下电沉积5~120min,制得目标产物。它可作为SERS活性衬底来快速检测其上附着的痕量罗丹明6G或四氯联苯-77的含量。
搜索关键词: 纳米 组成 薄膜 及其 制备 方法 用途
【主权项】:
一种银纳米片组成的薄膜,包括导电衬底,其特征在于:所述导电衬底上覆有纳米扁枝簇组成的薄膜,所述薄膜的膜厚为200~500nm;所述纳米扁枝簇中的纳米扁枝之间的间隙为1~15nm;所述纳米扁枝由边缘为弧形的纳米片串接构成;所述纳米片的片厚为10~50nm、片宽为30~300nm、片长为90~150nm,其为面心立方相的银;所述面心立方相银构成的纳米片的片平面平行于面心立方相银的(111)面。
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