[发明专利]晶圆级封装方法及其封装结构无效
申请号: | 201110363823.7 | 申请日: | 2011-11-16 |
公开(公告)号: | CN103117231A | 公开(公告)日: | 2013-05-22 |
发明(设计)人: | 李晓燕;段志伟;陈慧 | 申请(专利权)人: | 美新半导体(无锡)有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/31 |
代理公司: | 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 | 代理人: | 王爱伟 |
地址: | 214000 江苏省无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种晶圆级封装方法及其封装结构,其封装方法包括有以下步骤:提供包含芯片单元的晶圆;在晶圆正面进行凸块工艺处理;在晶圆正面的相邻芯片单元的相邻凸块之间开设第一槽;往第一槽内填充包覆材料,填充后,第一槽内的包覆材料与芯片单元的表面平齐;在晶圆背面开设第二槽,第二槽的深度等于晶圆厚度减去第一槽中包覆材料的厚度;往第二槽内填充包覆材料,填充后,包覆材料的高度高于晶圆背表面;和单一化切割。本发明通过晶圆凸块工艺、晶圆级部分开槽和晶圆级包覆材料填充,实现产品的高密度输入输出端口、高可靠性,轻薄短小、高产能以及低成本。 | ||
搜索关键词: | 晶圆级 封装 方法 及其 结构 | ||
【主权项】:
一种晶圆级封装方法,其特征在于:其包括以下步骤:提供包含芯片单元的晶圆;在晶圆正面进行凸块工艺处理;在晶圆正面的相邻芯片单元的相邻凸块之间开设第一槽,第一槽的宽度小于相邻芯片单元的相邻凸块的间距,第一槽的深度小于芯片单元的厚度;往第一槽内填充包覆材料,填充后,第一槽内的包覆材料与芯片单元的表面平齐;在晶圆背面开设第二槽,第二槽的深度等于晶圆厚度减去第一槽中包覆材料的厚度,第二槽的宽度是第一槽宽度的一半,且第二槽的中心与第一槽的中心在同一条垂直于晶圆表面的直线上;往第二槽内填充包覆材料,填充后,包覆材料的高度高于晶圆背表面;和单一化切割,以晶圆正面的第一槽或晶圆背面的第二槽的中心为切割中心进行切割。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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