[发明专利]稀土/钨/聚乙烯复合梯度防核辐射材料及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201110363847.2 申请日: 2011-11-16
公开(公告)号: CN102496396A 公开(公告)日: 2012-06-13
发明(设计)人: 刘宇艳;马涛;刘振国;刘少柱;尹松年;贾黙 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: G21F1/12 分类号: G21F1/12;G21F1/02
代理公司: 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 代理人: 韩末洙
地址: 150001 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 稀土/钨/聚乙烯复合梯度防核辐射材料及其制备方法,涉及稀土/钨/聚乙烯复合梯度防核辐射材料及其制备方法。解决现有防核辐射材料体积大、可移动性差、含铅毒、屏蔽范围窄和屏蔽效能递减的问题。复合梯度防核辐射材料由单层材料叠加制得,单层材料以钨、稀土为添加料,聚乙烯为基体,利用原位反应与物理共混结合的方法制得,将合成的单层材料转入热压机内继续保温预热后,进行单片分层叠加、热压合,即得。防核辐射材料质轻、无铅毒、材料无裂纹、质地均匀、贵重金属用量少、可循环利用、屏蔽效能效果优异且性能持久,对β射线、γ射线、中子射线均有很好的屏蔽效果,还能根据具体辐射环境灵活调整单层材料种类与顺序进而得到相应的适应体。
搜索关键词: 稀土 聚乙烯 复合 梯度 核辐射 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
稀土/钨/聚乙烯复合梯度防核辐射材料,其特征在于稀土/钨/聚乙烯复合梯度防核辐射材料由下至上依次将材料一、材料二、材料三、材料四和材料五叠加后在热压机内热压合制备得到的,所述材料一为单层材料A,所述材料二为单层材料B或单层材料E,所述材料三为单层材料D或单层材料E,所述材料四为单层材料C,所述材料五为单层材料F,且材料一、材料二、材料三、材料四和材料五不相同;其中单层材料A按重量份由50份的聚乙烯、40份的钨粉、0.5份硅烷偶联剂和10份的稀土氧化物制成,单层材料B按重量份由55份的聚乙烯、10份的稀土氧化物、15份的钨粉、0.5份硅烷偶联剂、0.2份原位反应引发剂和20份的稀土元素的甲基丙烯酸化合物制成,单层材料C按重量份由55份的聚乙烯、20份的钨粉、5份的稀土氧化物、0.5份硅烷偶联剂、0.2份原位反应引发剂和20份的稀土元素的甲基丙烯酸化合物制成,单层材料D按重量份由55份的聚乙烯、5份的钨粉、20份的稀土氧化物、0.5份硅烷偶联剂、0.2份原位反应引发剂和20份的稀土元素的甲基丙烯酸化合物制成,单层材料E按重量份由55份的聚乙烯、5份的钨粉、5份的稀土氧化物、15份的钨粉、0.5份硅烷偶联剂、0.2份原位反应引发剂和35份的稀土元素的甲基丙烯酸化合物制成,单层材料F按重量份由55份的聚乙烯、0.5份偶硅烷联剂和45份的钨粉制成。
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